2017年6月16日(金)15:00-17:30

フォトニクス・イノベーションセミナー 第9回(2017年6月16日)『シリコンフォトニクス技術の進展と展望』

開催日 2017年6月16日(金)15:00-17:30
開催場所 東京大学・駒場リサーチキャンパス 先端科学技術研究所13号館3F講堂
アクセス・キャンパスマップ https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/ja/access/
主催 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
共催 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)
技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
東京大学生産技術研究所光電子融合研究センター
協賛 一般財団法人 光産業技術振興協会(OITDA)
参加費 無料

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構では、フォトニクス・イノベーション共創プログラムを推進しています。本プログラムは、国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術開発機構(NEDO)プロジェクト「超消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術」に関わる成果普及と人材育成を目的としています。
フォトニクス・イノベーションセミナーでは、人材育成の一環として光電子融合科学技術の基礎からシステム応用に至る技術について、気鋭の研究者による講義形式でわかり易い解説を提供しています。今回は、光電子システム集積を実現するシリコンフォトニクスの先端的技術開発の展望について取り上げます。奮ってご参加いただきますようお願いいたします。

対象

光技術者および関係の社会人、大学院・学部学生

プログラム

15:00 開会挨拶
荒川泰彦(東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 機構長)

15:10 講義1「ポストムーア技術としてのシリコンフォトニクス」
山田浩治(国立研究開発法人 産業技術総合研究所 電子光技術研究部門 シリコンフォトニクスグループ長)

16:10 講義2「異種材料集積を用いたSiフォトニクス」
竹中充(東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 准教授)

17:10 全体討論

概要

2017年6月16日(金)に第9回フォトニクス・イノベーションセミナーを開催いたしました。今回は、東京大学駒場IIキャンパスにある有形登録文化財である第13号館(旧東京帝国大学航空研究所本館)講堂を会場として、各方面から68名に参加していただきました。テーマは、ポストムーア時代のブレークスルー技術としての視点から、シリコンフォトニクスの進展と今後の展望についてで、2件の講義が実施されました。

主催者を代表して、荒川泰彦教授よりの挨拶と趣旨説明に続いて、国立研究開発法人産業技術総合研究所の山田浩治グループ長による「ポストムーア時代のシリコンフォトニクス」と題した講義が行われました。冒頭のクラウドコンピューティング時代のデータ処理のデマンドとムーア則の飽和に対するシリコンLSIのチャレンジに加えて、光技術の活用がムーア則の限界を越えるアプローチとして有用であることを示されました。小型化や低消費エネルギー化と性能と消費エネルギーのトレード・オフの課題を軸にシリコンフォトニクス技術の方向性を説明されました。また、最近のシリコンフォトニクス要素デバイスの開発状況の紹介と製造に関わる課題が示されました。今後取り組むべき課題として、SiN系導波路やプラズモニクスなどの新技領域と同時に産業化に向けてデザインツールやファンドリーを含めたビジネスシステムの構築の重要性が述べられました。
続いて、東京大学大学院工学研究科電気系工学専攻の竹中充准教授より、「異種材料集積を用いたSiフォトニクス」と題した講義が行われました。SiフォトニクスはLSIで用いられるCMOSプロセスを活用できることを長所とするという観点を維持しつつも、デバイスの性能向上に向けては、異種材料集積技術が有用であることをGe/Siや化合物/Siを例に説明が展開されました。 受光素子としてのGeの有用性やレーザ光源の可能性が最近の研究成果を例に説明されました。また、化合物半導体についても最近のMOS型トランジスタ技術を紹介され、Siとの材料集積がSi-LSIにおいても進展しつつあることから、Siフォトニクスにおいても受光素子や発光素子としての化合物半導体/Si集積が有望であると述べられました。

2000年代初頭に、Siフォトニクスの研究が開花して、製品化が始まった今日において、改めてシリコンフォトニクス技術の将来に向けた有益な情報が詰まったセミナーとなりました。

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